| GD612 高精密固晶机 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥450ms? 精准模式：UPH5~8K/h ?????????? 尺度模式：UPH10~15K/h （现实产能取决于芯片与基板尺寸及造程工艺要求） | ||||||||
| 固晶地位精度 | 精准模式：±10um 尺度模式：±20um | ||||||||
| 芯片角度精度 | 精准模式：±1° 尺度模式：±3° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 0.2*0.2-9*9mm | ||||||||
| 合用支架尺寸 | L：100-200mm W：50-120mm | ||||||||
| 设备表型尺寸（L*W*H) | 1760（正面长）*1390(侧面纵深)*2165(高度)mm? | ||||||||
| GD612 高精密固晶机 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥450ms? 精准模式：UPH5~8K/h ?????????? 尺度模式：UPH10~15K/h （现实产能取决于芯片与基板尺寸及造程工艺要求） | ||||||||
| 固晶地位精度 | 精准模式：±10um 尺度模式：±20um | ||||||||
| 芯片角度精度 | 精准模式：±1° 尺度模式：±3° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 0.2*0.2-9*9mm | ||||||||
| 合用支架尺寸 | L：100-200mm W：50-120mm | ||||||||
| 设备表型尺寸（L*W*H) | 1760（正面长）*1390(侧面纵深)*2165(高度)mm? | ||||||||