| GD602D 全自动高速固晶机 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥72ms UPH:40～50K/H （现实产能取决于晶片与基板尺寸及造程工艺要求） | ||||||||
| 固晶地位精度 | ±25um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±3? | ||||||||
| 芯片尺寸 | 3milx5mil-60milx60mi | ||||||||
| 合用支架尺寸 | L:100-600mm W：80-120mm | ||||||||
| 设备表型尺寸（L*W*H） | 1234（正面长）*1296(侧面纵深)*1750(高度)mm | ||||||||
| GD602F+ 全自动高速电阻机 | |||
| 固晶周期 | ≥110ms UPH:30～35K/H （现实产能取决于贴装电阻之间的间距与基板行列之间间距） | ||
| 物料尺寸 | 0204及以上尺寸 | ||
| 飞达数量 | 8组（双边） | ||
| 合用支架尺寸 | L:100-600mm W：80-120mm | ||
| 设备表型尺寸（L*W*H） | 1212（正面长）*1294侧面纵深)*1800(高度)mm | ||